Chi tiết tin - Sở Khoa học và Công nghệ

Ngày đăng: 21-07-2022

Pin mặt trời có độ trong suốt cao với tấm nguyên tử 2D

Các nhà khoa học từ lâu đã tìm cách phát triển pin mặt trời trong suốt, nhưng chưa có các vật liệu phù hợp. Để tạo ra pin mặt trời trong suốt này, nhóm nghiên cứu của TS Toshiaki Kato đã kiểm soát các rào cản tiếp xúc giữa indium thiếc oxit (ITO) - một trong những oxit dẫn điện trong suốt được sử dụng rộng rãi nhất và một loại vonfram disulfide đơn lớp. Họ phủ các kim loại mỏng khác nhau lên ITO và chèn một lớp oxit vonfram mỏng giữa ITO phủ và vonfram disulfide. Theo nghiên cứu này, pin mặt trời có hiệu suất chuyển đổi năng lượng gấp hơn 1.000 lần so với một thiết bị sử dụng điện cực ITO thông thường.

https://vjst.vn/